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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻EC-80的介紹簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器,只需將樣品插入探頭之間即可測(cè)量在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換通過(guò) JOG 撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件*由于探頭為固定型,請(qǐng)?jiān)谫?gòu)買(mǎi)前從多種類(lèi)型中選擇一種。
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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻EC-80的介紹
napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻EC-80的介紹
簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器,只需將樣品插入探頭之間即可測(cè)量
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過(guò) JOG 撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
*由于探頭為固定型,請(qǐng)?jiān)谫?gòu)買(mǎi)前從多種類(lèi)型中選擇一種。
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)
~8 英寸或 ~156x156mm
[電阻率] 1m 至 200Ω?cm
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí))
[薄層電阻] 10m 至 3kΩ/sq
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍)
*請(qǐng)參閱以下各探頭類(lèi)型的測(cè)量范圍。
(1) 低:0.01 ~ 0.5Ω/□ (0.001 ~ 0.05Ω-cm)
(2) 中: 0.5 ~ 10Ω/□ (0.05 ~ 0.5Ω-cm)
(3) 高:10 ~ 1000Ω/square (0.5 ~ 60Ω-cm)
(4) S-High : 1000 to 3000Ω/square (60 to 200Ω-cm)