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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-10(NC-20)的介紹簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器,只需將樣品插入探頭之間即可測(cè)量在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換通過(guò) JOG 撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件*由于探頭為固定型,請(qǐng)?jiān)谫?gòu)買(mǎi)前從多種類(lèi)型中選擇一種。
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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-10(NC-20)的介紹
napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-10(NC-20)的介紹
節(jié)省空間,使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量
探頭可拆卸和更換,因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
(*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭)
1 中心點(diǎn)測(cè)量
厚度和溫度修正功能(硅晶圓)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)
3 至 8 英寸,~156 x 156 毫米
(可選;2 英寸或 12 英寸,~210 x 210 毫米)
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí))
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍)
只需觸摸手持探頭即可測(cè)量電阻
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過(guò) JOG 撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
可互換連接器連接的電阻測(cè)量探頭支持各種電阻
(電阻探頭:最多可使用2+PN判斷探頭)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)
不受樣品尺寸和形狀的影響(但是,大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品)均可測(cè)量
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí))
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
節(jié)省空間,使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量
探頭可拆卸和更換,因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
(*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭)
1 中心點(diǎn)測(cè)量
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)