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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器,只需將樣品插入探頭之間即可測(cè)量在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換通過 JOG 撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件*由于探頭為固定型,請(qǐng)?jiān)谫?gòu)買前從多種類型中選擇一種。
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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹
napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹
以脈沖電壓勵(lì)磁法為測(cè)量原理的非接觸式電阻測(cè)量系統(tǒng),可在不損壞樣品的情況下進(jìn)行測(cè)量。
節(jié)省空間的設(shè)計(jì)主體,便攜式可拆卸舞臺(tái)
通過PC(專用軟件)輕松進(jìn)行測(cè)量操作、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理
可根據(jù)應(yīng)用改變測(cè)量顯示單位(薄層電阻、電導(dǎo)率、電導(dǎo)率)
*本產(chǎn)品采用本公司與千葉大學(xué)共同開發(fā)的脈沖電壓勵(lì)磁方式
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
化合物半導(dǎo)體(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
~ A4 尺寸 (W300 x D210mm)
50μ 至 1mΩ/sq
便于攜帶和測(cè)量的便攜式薄層電阻測(cè)量儀:DUORES
可根據(jù)測(cè)量對(duì)象更換兩種類型的探頭(非破壞型和接觸型)。
• 款可與兩種類型的探頭(非破壞型和接觸型)互換使用的便攜式薄層電阻測(cè)量?jī)x
• 只需放置/應(yīng)用探頭即可自動(dòng)測(cè)量
• 電池連續(xù)工作時(shí)間:24 小時(shí)(*電池使用中)
顯示數(shù)據(jù)數(shù):最多 100(*從最近的數(shù)據(jù)顯示)
• 保存數(shù)據(jù)數(shù):最大50,000(*通過專用軟件顯示)
• 測(cè)量數(shù)據(jù)傳輸功能:USB-Mini
• 顯示:3種顯示單位(Ω/□、S/□、n/m [金屬膜厚度換算) ]), 4 位浮點(diǎn)數(shù) (0.000 到 9999)
* 我們也只出售主機(jī) + 非破壞型探頭,主機(jī) + 接觸式探頭。
節(jié)省空間,使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無損傷測(cè)量
探頭可拆卸和更換,因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
(*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭)
1 中心點(diǎn)測(cè)量
厚度和溫度修正功能(硅晶圓)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)
3 至 8 英寸,~156 x 156 毫米
(可選;2 英寸或 12 英寸,~210 x 210 毫米)
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí))
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
(*所有探頭類型的總范圍)
只需觸摸手持探頭即可測(cè)量電阻
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過 JOG 撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
可互換連接器連接的電阻測(cè)量探頭支持各種電阻
(電阻探頭:最多可使用2+PN判斷探頭)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)
不受樣品尺寸和形狀的影響(但是,大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品)均可測(cè)量
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí))
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
節(jié)省空間,使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無損傷測(cè)量
探頭可拆卸和更換,因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
(*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭)
1 中心點(diǎn)測(cè)量
半導(dǎo)體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)